西门子触发板出现故障维修中的一些数据情况

更新时间：2019-08-20

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　　西门子触发板维修的主要参数

　　⑴在截止状态时

　　①击穿电压Uceo;和Ucex;：能使集电񧠜和发射񧠞之间击穿的小电压。基񧠛开路是用Uceo;表示�间接入反向偏压时用Ucex;表示。在大多数情况下，这两个数据是相等的。

　　②漏电流Iceo;和Icex;：截止状态下，񎳬极流񔄞极的电流。但是前提条件是：,;大功率并且为风机泵类负载󿆻极开路时为Iceo;�间反偏时为Icex;。

　　⑵在饱和状态时

　　①;集电极大电流Icm;：GTR;饱和导通是的大允许电流。

　　②;饱和压降Uces;：当GTR;饱和导通时�间的电压降。

　　⑶在开关过程中

　　①;开通时间Ton;：񎳫极通入正向电流时起，到集电极电流上升到0：9Ics;所需要的时间。

　　②;关断时间Toff;：从基极电流撤消时起，至Ic;下降至0：1Ics;所需的时间

　　开通时间和关断时间将直接影响到SPWM;调制是的载波频率。通常，使用GTR;做逆变管时的载波频率底于2KHz;。

　　4：变频器用GTR;西门子触发板维修的选用

　　⑴Uceo;通常按电源线电压U;峰值的2倍来选择。

　　Uceo;≥2厂2U;在电源电压为380V;的变频器中，应有Uceo;≥2厂2U*380V=1074：8V;，故选用Uceo=1200V;的GTR;是适宜的。

　　⑵Icm;按额定电流In;峰值的2倍来选择Icm;≥2厂2In;GTR;是用电流进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。;今天我告诉大家的是MOSFET;以及IGBT;

　　1;功率场效应晶体管（POWERMOSFET;）;它的3;个极分别是源极S;漏񧠝和栅极G;

　　其工作特点是，GS;间的控制是电压Ugs;。改变Ugs;的大小，主电路的漏极电流Id;也跟着改变。由于GS;间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR;相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。此外，MOSFET;还具有热稳定性好安全工作区大;等优点。整流单元测量参考数据见表.;。

　　但是，功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。

　　2;绝缘栅双极晶体管（IGBT;）IGBT;是MOSFET;和GTR;相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS;结构）的晶体管，它的三个极分别是集电񧠜发射񧠞和栅极G;。

　　工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制为电压Uge;输入阻抗很高，栅极电流I;≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR;相同，工作电流为集电极电流I;。

　　以上便是今天关于西门子触发板出现故障维修中的一些数据情况的全部分享了，希望对大家今后使用本设备能有帮助。

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